Keithley 靜電計(jì)
簡(jiǎn)要描述:Keithley 靜電計(jì)位顯示的6517B提供的精度和靈敏度指標(biāo)是高于其他同類型儀表。它豐富的功能使測(cè)量高阻和絕緣材料電阻率變得簡(jiǎn)單。 6517B具有425讀數(shù)/秒的讀數(shù)率,比同類型的靜電計(jì)顯著的快,可以提供快速、簡(jiǎn)易的方式測(cè)量弱電流
- 產(chǎn)品型號(hào):6517B
- 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間:2023-06-20
- 訪 問(wèn) 量:1231
Keithley 靜電計(jì)吉時(shí)利5?位顯示的6517B提供的精度和靈敏度指標(biāo)是高于其他同類型儀表。它豐富的功能使測(cè)量高阻和絕緣材料電阻率變得簡(jiǎn)單。 6517B具有425讀數(shù)/秒的讀數(shù)率,比同類型的靜電計(jì)顯著的快,可以提供快速、簡(jiǎn)易的方式測(cè)量弱電流。
Model 6517B是一個(gè)更新版本,取代了較早型號(hào)6517A(1996年推出)。Model 6517A的應(yīng)用軟件使用SCPI語(yǔ)言命令可以在Model 6517B上不做任何修改的運(yùn)行。不過(guò),Model 6517B較 Model 6517A提供了一些有益的改進(jìn)和升級(jí), 其內(nèi)部備份電池內(nèi)存緩沖區(qū)現(xiàn)在可以存儲(chǔ)多達(dá)50,000讀數(shù),使用戶能夠記錄更長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試結(jié)果,并存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)和讀數(shù)。新的Model還可提供至內(nèi)部緩沖器(高達(dá)425讀數(shù)/秒的讀數(shù)率)以及通過(guò)IEEE總線至外部存儲(chǔ)器的更高讀數(shù)率(高達(dá)400讀數(shù)/秒的讀數(shù)率)。一些連接器的修改已列入解決現(xiàn)代連接和安全要求。
電阻測(cè)量可達(dá)1016Ω
電流測(cè)量范圍1fA-20mA
最小電流量程輸入壓降<20µV
200TΩ輸入阻抗
<3fA偏置電流
高達(dá)425rdgs/s
噪聲0.75fA p-p
內(nèi)置±1kV電源
*的高電阻測(cè)量電壓反接方法
可選的插件式掃描卡
Keithley 靜電計(jì)
特點(diǎn) | 優(yōu)勢(shì) |
超低噪聲(6430 為 0.4fA p-p ,6517B 和 6514 <1fA) | 確保對(duì)設(shè)備和材料研究中常見(jiàn)的超低電流實(shí)現(xiàn)更精確的測(cè)量。 |
高達(dá) 10 16 ? 的電阻測(cè)量 (6517B) | 精確測(cè)量超高電阻材料和絕緣體。 |
遠(yuǎn)程預(yù)放大器可以位于信號(hào)源 (6430) | 允許直接或短暫連接到信號(hào)源,較大限度地減少電纜噪聲等噪聲源。 |
低輸入端壓降 | 消除影響低電流測(cè)量精度的誤差。 |
內(nèi)置 ±1kV 電壓源,提供掃描功能 (6517B) | 簡(jiǎn)化了執(zhí)行泄漏、擊穿和電阻測(cè)試,以及對(duì)高電阻率材料執(zhí)行體積 (?-cm) 和表面電阻率 (?/square) 測(cè)量的過(guò)程。 |
適用于測(cè)量試樣材料的體積和表面電阻的選配 8009 型電阻率測(cè)試盒 (6517B) | 防止您接觸潛在危險(xiǎn)電壓 — 打開測(cè)試盒蓋子時(shí)自動(dòng)關(guān)閉儀器的電壓源。 |
即使在低電平信號(hào)上也能實(shí)現(xiàn)高測(cè)量速度 | 支持更快的低電平元器件測(cè)試。 |
可編程數(shù)字 I/O 和內(nèi)置接口 | 簡(jiǎn)化構(gòu)建自動(dòng)化元器件測(cè)試系統(tǒng)的過(guò)程。 |
型號(hào) | 電流 | 電壓 | 電阻 | 充電 | 源 | 報(bào)價(jià) |
---|---|---|---|---|---|---|
6514 | 100aA - 20mA | 10µV - 200V | 10m? - 200G? | 10fC - 20μC | - | US $9,100 配置和報(bào)價(jià) |
6517B | 10aA - 20mA | 10µV - 200V | 100? - 10P? | 10fC - 2μC | 0 - ±1000V | US $13,600 配置和報(bào)價(jià) |
6430 | 10aA - 100mA | 1µV - 200V | 1µ? - >20T? | - | 0 - ±200V | US $26,400 |
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