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- CBTZ半自動(dòng)探針臺(tái)
CBTZ半自動(dòng)探針臺(tái) CBTZ自動(dòng)對(duì)位探針臺(tái)能對(duì)晶片實(shí)現(xiàn)自動(dòng)對(duì)位測(cè)試, 操作簡(jiǎn)單,快捷,測(cè)試精度高,具有MAP顯示功能。 與測(cè)試儀連接后,能自動(dòng)完成對(duì)各種晶體管芯的電參數(shù)測(cè)試及功能測(cè)試
- 型號(hào):CBTZ
- 更新日期:2023-06-20 ¥面議
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- CGO-2/CGO-4/CGO-6CGO-高低溫真空探針臺(tái)
CGO-高低溫真空探針臺(tái) 溫度范圍77K-675K(液氮); 可應(yīng)用于真空及常規(guī)環(huán)境; 超高溫度分辨率; 特殊客制低溫系統(tǒng); 具有*穩(wěn)定性
- 型號(hào):CGO-2/CGO-4/CGO-6
- 更新日期:2023-06-20 ¥面議
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- CT-6高低溫探針臺(tái)
高低溫探針臺(tái)是可用于12英寸以內(nèi)樣品測(cè)試 采用密閉腔結(jié)構(gòu),屏蔽外部電信干擾同時(shí)保持氮?dú)庹龎涵h(huán)境下樣品在低溫時(shí)無(wú)結(jié)霜
- 型號(hào):CT-6
- 更新日期:2023-06-20 ¥面議
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- CS-4-HT/CS-6-HT/CH-8-HT/C高溫探針臺(tái)
高溫探針臺(tái)可用于8英寸以內(nèi)樣品測(cè)試 ; 可滿足500度高溫測(cè)試 ; 溫度穩(wěn)定性高 ;兼容IV/CV/RF測(cè)試
- 型號(hào):CS-4-HT/CS-6-HT/CH-8-HT/C
- 更新日期:2023-06-20 ¥面議
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- CW-4IGBT高壓大電流測(cè)試探針臺(tái)
IGBT高壓大電流測(cè)試探針臺(tái)$nCINDBEST CW-4 | 4“ 高壓大電流探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)$n可用于8英寸以內(nèi)樣品測(cè)試 ;$n可升級(jí)做射頻,大電流方面的測(cè)試和激光修復(fù)應(yīng)用
- 型號(hào):CW-4
- 更新日期:2023-06-20 ¥面議
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- CH12綜合性分析探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)
CH-12 綜合性分析探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 最大可用于12英寸以內(nèi)樣品測(cè)試; 操作便捷,功能其全,高效精準(zhǔn) ; 可滿足晶片測(cè)試、光電器件測(cè)試、PCB/IC測(cè)試、射頻測(cè)試、高壓大電流測(cè)試等
- 型號(hào):CH12
- 更新日期:2023-06-20 ¥面議
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- CH-8綜合性分析探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)
12“ 綜合性分析探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng): 最大可用于12英寸以內(nèi)樣品測(cè)試; 操作便捷,功能其全,高效精準(zhǔn) ; 可滿足晶片測(cè)試、光電器件測(cè)試、PCB/IC測(cè)試、射頻測(cè)試、高壓大電流測(cè)試等
- 型號(hào):CH-8
- 更新日期:2023-06-20 ¥面議
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- CL-6精密I-V測(cè)試測(cè)量探針臺(tái)系統(tǒng)
精密I-V測(cè)試測(cè)量探針臺(tái)系統(tǒng)特點(diǎn) / 應(yīng)用 ◆ 滿足I-V/C-V,PIV測(cè)試,光電測(cè)試等.,◆ 最大可用于8英寸以內(nèi)樣品測(cè)試,同軸絲杠傳動(dòng)結(jié)構(gòu),線性移動(dòng),兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng),可升級(jí)做射頻,大電流方面的測(cè)試和激光修復(fù)應(yīng)用 CL系列探針臺(tái)可兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng) ;可升級(jí)做射頻,大電流方面的測(cè)試和激光修復(fù)應(yīng)用
- 型號(hào):CL-6
- 更新日期:2023-06-20 ¥面議